集微网消息，11月4日，国家知识产权局就201110240931.5发明专利（下称“FinFET专利”）无效申请案下达无效宣告请求审查决定书，宣告该专利权部分无效。月前引起业界广泛关注的中科院微电子所诉英特尔公司专利侵权案发生意外转折。为应对微电子所2018年2月对其提起的专利侵权诉讼，英特尔公司先后6次在中国和美国对涉诉专利及其美国同族，提起专利无效申请或复审请求，均未得到理想结果。最近一次在国内的无效申请中，英特尔提交了CN102768957A专利（下称“证据1”）作为证据，要求宣告涉案专利权利要求8、10、14无效。国家知识产权局专利复审和无效审理部合议组经审理认为，FinFET专利“权利要求8、10、14相对于证据1不具备专利法第22条第2款规定的新颖性”，因此宣告FinFET专利的权利要求8、10、14无效。深圳嘉德知识产权服务有限公司专利主管董琳在此前的采访中表示FinFET专利权利覆盖范围非常广：“从方法角度来看，只要是先在栅极线外侧形成了侧墙之后，再切断（电学隔离）栅极线的FinFET设计，都会落入微电子所FinFET专利保护范围；从结构角度来看，微电子所FinFET专利保护范围包括在同一直线延伸的栅电极两侧具有侧墙且侧墙未将栅电极的隔离端面包围的FinFET设计。”而据FinFET专利的权利要求书，该专利关于方法和结构最核心的权利要求分别是权利要求1和8，其中权利要求1涉及方法，而权利要求8涉及结构，其余权利要求均为权利要求1和8基础上衍生的权利要求。因此，权利要求8、10、14的被无效，对FinFET专利的杀伤力是一重大打击。
值得一提的是，导致FinFET专利被部分无效的关键证据1，同样是中科院微电子所于2011年申请的专利，该专利申请时间较涉案FinFET专利早3个月。证据1专利发明人栏中的梁某和钟某同样是FinFET专利的主要发明人。
13910160652
ciplawyer@163.com
点击关闭