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科锐与安世半导体签署 GaN 功率器件专利授权协议

日期:2018-04-17 来源:天天IP 作者: 浏览量:
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科锐今日宣布与荷兰 Nexperia(中文为“安世半导体”)签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议,安世半导体将有权使用科锐 GaN 氮化镓功率器件专利组合,包括了超过 300 项已授权美国和国外专利,涵盖了 HEMT(高电子迁移率场效晶体管)和 GaN 氮化镓肖特基二极管的诸多创新。这一专利组合针对新型器件结构、材料和工艺提升,以及封装技术,不包括技术转让。


科锐联合创始人兼 Wolfspeed 首席技术官 John Palmour 表示:“科锐创立以来,对包括 GaN 氮化镓和 SiC 碳化硅在内的新型化合物半导体材料进行了深入研究,并利用它们的独特性能开发出新型器件。基于科锐数十年创新成果的器件,帮助实现新型电源管理和无线系统的市场导入。为了加速这类新市场的增长,科锐正在对用于 GaN 氮化镓电源管理系统的 GaN 氮化镓功率器件专利开展授权。”


据了解,安世半导体是在 2016 年 6 月 14 日以建广资产为主导的中国财团,花费 27.5 亿美元(约合 181 亿元人民币)收购恩智浦(NXP)标准件业务。安世半导体总部位于荷兰奈梅亨,作为国内半导体行业最大的海外并购案之一,2017 年 2 月交割完成后,各项业务仍保持稳健增长。销售收入从 2015 年的 10.3 亿美元增长至 2017 年(2月-12月)近 12.88 亿美元,其中欧洲、中东和非洲地区占比约 31.52%,大中华区占比约 30.75%。


公司主要销售收入来源于三极管分立器、MOS 分立器件以及逻辑与保护等板块产品。2017年2月,安世半导体顺利完成交割后,各项业务均保持稳定增长,广东新增封测生产线已于近日投产,使安世半导体全年生产总量超过 1000 亿颗稳居全球第一。


随着新厂第一条生产线安装就位,广东工厂(ATGD)的扩张在如火如荼的进行,预计新厂可满足急迫的产能扩张需求,应该也能为其他封装/产品线的供应提供替代选项,在某种程度上可以进一步支持汽车业务的供应可靠性需求。


公司未来将继续专注于分立器件、逻辑器件及 MOSFET 器件的研发、生产与销售,维持其全球领先的行业地位,并重点聚焦汽车电子、通讯、工业控制、消费电子的主要市场。


另一个正在进行的项目是获得对汽车相关业务至关重要的III-V族半导体,尤其是硅基氮化镓相关技术,在动车组/电动车高压转换和相关电池/充电等方向有着重要的应用。关于III-V族技术的项目目前有序运作中,力争早日取得良性进展。


而科锐成立于 1987 年,是美国的上市公司,为全球 LED 外延、芯片、封装、LED 照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的著名制造商和行业领先者。科锐 LED 照明产品的优势体现在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等方面独一无二的材料技术与先进的白光技术,拥有 1,300 多项美国专利、2,900 多项国际专利和 389 项中国专利(以上包括已授权和在审专利)。目前,科锐中国在上海和深圳等全国几十个城市分别设有公司和办事处,主要负责产品在国内的销售、技术支持、市场服务等。