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北大团队突破铁电晶体管极限：1纳米栅长器件问世
中国知识产权律师网从北大官网获悉，2月14日，北京大学电子学院邱晨光研究员团队宣布，成功制备出迄今尺寸最小（物理栅长1纳米）、功耗最低的铁电晶体管，相关成果在线发表于《科学·进展》。该突破由邱晨光研究员与彭练矛院士团队联合完成，通过纳米栅极结构设计，巧妙解决传统铁电晶体管能耗高、逻辑电压不匹配的短板，使器件能耗较国际最好水平降低一个数量级。 据介绍，这款纳米栅铁电晶体管具备超低工作电压与极低
发布时间：2026.02.24 -
日本半导体公司罗姆试图重启与MaxPower的晶体管专利案
近期，日本芯片制造商罗姆半导体集团的美国分公司未能就一个专利纠纷避免仲裁。该纠纷事关罗姆和其许可合作商MaxPower。美国联邦巡回上诉法院的三名法官小组表示，罗姆与MaxPower的协议中的一项条款要求将争议提交仲裁员。 MaxPower于2007年将与半导体中的硅晶体管相关的一些专利授权给罗姆日本。双方就其他罗姆产品是否侵犯专利发生了争议。此后，去年，MaxPower告诉罗姆，它正在根据
发布时间：2021.11.16 -
苹果在韩国遭遇侵权纠纷iPhone X或被禁售
苹果公司(以下简称“苹果”)因涉嫌侵犯韩国研究机构芯片技术专利而正接受韩国政府的调查，如今调查结果似乎对苹果不利。今年1月，韩国高等科学技术研究所(KAIST)旗下知识产权部门KIP称，苹果未经许可而使用KAIST的半导体制造工艺技术，即“鳍场效应晶体管”(FinFET)。该项技术可以增加芯片上的半导体集成度以提高性能，同时降低能耗。 韩国贸易、工业和能源部随后表示，已对苹果公司展开调查。如今
发布时间：2018.09.12
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