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手机、电脑断电后仍能保存数据,依赖的是芯片中无数微小“开关”对0和1的可靠记录。衡量一个存储开关的优劣,关键看两点:电阻差别是否足够大,以及能否经得起反复读写。近日,中国科学院半导体研究所等单位的科研人员研制出一种新型“铁电隧穿结”,利用原子层间仅埃米级(不到1纳米)的微小滑移,使开关电阻相差约1900万倍,且能反复开关超过1000亿次。相关研究成果发表于国际学术期刊《科学》。 铁电隧穿结的结构
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