意法半导体涉嫌侵犯晶体管专利被判赔3250万美元

集微网消息，美国西得克萨斯州法院陪审团12月5日公布的一项裁决显示，欧洲芯片制造商意法半导体因侵犯一项晶体管技术专利，需向普渡大学赔偿3250万美元。

该陪审团认同普渡大学的观点，认为意法半导体在电动汽车充电器和其他产品中使用的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）侵犯了普渡大学在“高压电源应用”中使用的晶体管专利权。

意法半导体的一位发言人称，“公司将对判决提出上诉。”普渡大学的律师Michael Shore表示，不利于意法半导体的证据是“压倒性的”，该公司可能不得不在2026年专利到期之前支付超过1亿美元的专利费。

据悉，MOSFET通常用于电子产品中，以控制和放大电流。普渡大学于2021年起诉意法半导体，指控其用于太阳能暖通空调系统、汽车充电站和其他可再生能源产品中的MOSFET侵犯了两项与晶体管技术相关的专利。

普渡大学的专利涉及高压电源应用的半导体和MOSFET技术创新，由前普渡大学教授James Cooper和他当时的学生Asmita Saha申请。