最高法改判“双重劳动关系”职务权属发明纠纷案，确立在先归属+过错审查裁判原则 二审判决书原文

【裁判要点】

最高人民法院近日对一起备受关注的专利权权属纠纷案作出终审判决，明确否定了“双重劳动关系”下职务发明“当然共有”的裁判思路。该案因涉及高校教授在外兼职期间的发明创造归属问题，对厘清产学研合作中的知识产权边界具有重要指导意义。

中华人民共和国最高人民法院
民 事 判 决 书

（2023）最高法知民终2454号

上诉人（一审被告）：中国某技术大学。住所地：中华人民共和国安徽省合肥市。
法定代表人：常某，该校校长。

被上诉人（一审原告）：武汉某技术有限公司。住所地：中华人民共和国湖北省武汉市东湖新技术开发区。
法定代表人：李某振，该公司董事、经理。

一审被告：王某，男，某年某月某日出生，美利坚合众国国籍，住中华人民共和国江苏省南京市鼓楼区。

一审第三人：秦某，男，某年某月某日出生，汉族，住中华人民共和国江苏省泰兴市黄桥镇。

上诉人中国某技术大学（以下简称中某大）因与被上诉人武汉某技术有限公司（以下简称武汉某公司）、一审被告王某以及一审第三人秦某专利权权属纠纷一案，不服安徽省合肥市中级人民法院（以下简称一审法院）于2023年5月12日作出的（2020）皖01民初2299号民事判决（以下简称一审判决），向本院提起上诉。本院于2023年11月9日立案后，依法组成合议庭，并于2024年1月11日公开开庭审理了本案。上诉人中某大的委托诉讼代理人代某某，被上诉人武汉某公司的委托诉讼代理人张某、余某到庭参加诉讼。一审被告王某，一审第三人秦某经本院合法传唤未到庭参加诉讼，本院依法缺席审理。本案现已审理终结。

武汉某公司向一审法院提起诉讼，一审法院于2020年8月10日立案受理。武汉某公司起诉请求：1.确认名称为“一种P型掺杂与非掺杂芯片的刻蚀方法及装置”、申请号为201910316864.7的发明专利（以下简称涉案专利）申请权归其所有；2.判令中某大、王某共同向武汉某公司支付因本案支出的合理费用人民币1.66万元（以下币种均为人民币），并互负连带清偿责任；3.本案诉讼费由中某大、王某承担。事实与理由：王某系武汉某公司员工，双方于2016年1月25日签订劳动合同，服务期限自2016年1月1日至2019年12月31日止，协议约定王某在任职期间取得的科研成果所有权和相关知识产权归武汉某公司所有。2016年7月至8月，武汉某公司与中某大在读研究生秦某签订了为期一年的实习协议。2018年2月，秦某离开武汉某公司。2018年10月，王某与武汉某公司签订解除劳动关系协议，并于当月办理离职及交接手续。2019年1月30日，中某大提出涉案专利申请，发明人为王某和秦某。涉案专利与王某、秦某在武汉某公司的项目计划、工作实习内容相关，涉案专利系为完成武汉某公司工作及实习任务所作出的发明创造，涉案专利申请权应归武汉某公司所有，中某大及王某的行为已严重侵害其合法权益。

中某大一审辩称：（一）2013年7月30日起，其聘用王某为教授。王某在中某大任职期间，主要研究内容包括半导体光电芯片技术与纳米加工工艺，与涉案专利属于同一技术领域。（二）中某大先后投入电子束光刻机、镀膜机、刻蚀系统、掩膜制版系统、高真空蒸发系统、器件仿真软件、MATLAB软件、数学建模软件等各项软硬件资源，涉案专利属于王某及其所带领的学生在履行本职科研工作中作出的发明创造，申请权应当属于中某大。（三）武汉某公司并不具备完成涉案专利的物质技术条件及实验基础，武汉某公司以王某曾与其签订过劳动合同并任职为由，认为涉案专利申请权归武汉某公司所有无事实和法律依据。

王某一审辩称：（一）其自2014年开始一直任职于中某大，科研研发和申请专利是其本职工作。2016年2月其受聘于武汉某公司。武汉某公司在签订合同时明知其系中某大教授，而合同中含有多项对知识产权的排他约定，武汉某公司对此明显存在恶意。（二）武汉某公司在其兼职期间没有任何研发条件，涉案专利是其学生在中某大攻读博士学位所必须的研究工作，利用的条件均为中某大物质条件，武汉某公司所提供的证据只能说明其有兼职记录，与涉案专利没有任何关联性。

秦某一审未陈述意见。

一审法院认定以下事实：

（一）各方当事人的相关情况

2013年7月30日，中某大聘用王某为教授，所在部门为物理学院，聘期四年，聘用期限自2013年12月31日起至2017年12月31日止。聘用合同约定：王某保证在本合同签订之时与原单位之间没有任何足以影响本合同生效和履行的事宜，本合同履行期间从事中某大的工作亦不会侵犯此前曾受聘单位的知识产权及其他合法权益；全面履行本合同约定的各项条款，完成预定工作任务和工作目标，接受中某大、中国某学院和国家的考核或检查；王某在聘期内在中某大所取得的教学、科研等成果均属职务成果，其发表有关论文、著作或申报有关奖励、专利和科研项目及经费等，均须同时署王某及中某大名称，且中某大必须为作者第一单位；在受聘期间，因履行职务或者主要是利用中某大的物质技术条件、科研信息等产生的发明创造、技术秘密等有关的知识产权均属于中某大享有，王某享有署名权。

武汉某公司成立于2016年1月25日，经营范围主要包括量子电光芯片（包括单光子源、激光器、探测器）产品研发、生产、批发兼零售、维修及技术咨询。2016年1月25日，武汉某公司与王某签订劳动合同，约定服务期限为2016年1月25日至2020年1月24日止，共四年。王某从事器件生产部部长工作，年薪为每年70万元。

2016年4月15日，武汉某公司申报第九批“3551光谷人才计划”，该申报材料记载：申报项目为量子点单光子源，申报人才为王某，所属产业为光电子信息产业，申报人王某的专业领域为纳米技术。简介及专长中记载：“长期从事纳米技术方向研究……熟悉纳米工艺开发和大规模生产，精通光刻、镀膜等离子刻蚀等纳米工艺，并亲自参与了芯片整体流程开发，质量控制检测以及对芯片整体架构的设计。”代表性产品或服务为量子点单光子源、量子点激光器、单光子探测器、纳米加工设备、纳米光刻、等离子刻蚀等。项目计划书中的项目产业化已有基础，并记载：“团队骨干具备深厚的半导体加工的技术储备。项目已有技术包含外延生长技术，管芯工艺技术、器件封装测试技术、模块封装技术、量子点芯片及器件生产线设计及组建、MES生产制造软件开发。”

2016年7月11日，武汉某公司与王某签订了专家聘任协议书，约定王某担任器件生产部部长，服务期限为四年，自2016年1月1日至2019年12月31日，并约定任职期间取得的科研成果所有权和相关知识产权归武汉某公司所有，不得以任何形式为与武汉某公司有竞争关系的企业提供同类项目的技术支持，承担不侵害武汉某公司知识产权等责任及保密义务。主要完成但不限于以下工作任务：2016年12月前完成雪崩光电二极管（英文简称APD）工艺流程并于2017年3月前制出10GAPD合格样品；2017年12月前完成APD量产合格品8万只且优良率不低于20%；2018年12月前完成单子源和单光子探测器的设计；2019年12月前制出第一个单光子探测器。工作内容为担任器件生产部部长，按照公司经营工作规划制定器件生产部工作规划，对器件生产部工作结果负责；负责器件生产部的团队培养和建设，对器件生产部岗位规划、人员编制、招聘等有直接建议权。同时武汉某公司与王某签订了员工商业秘密保密协议书，约定技术秘密包括但不限于：技术方案、工程设计、电路设计、制造方法、工艺流程、技术指标、计算机软件、数据库、研究开发记录、技术报告、检测报告、实验数据、试验结果、图纸、样品、样机、模型、模具、操作手册、实验数据、试验结果、技术文档、相关的函电、项目申报、实施方案、专利申报等；双方确认王某在武汉某公司任职期间，因履行职务或者利用武汉某公司的物质技术条件、业务信息等产生的产品图纸、技术秘密或者其他商业秘密信息，有关的知识产权均属于武汉某公司所有。未经武汉某公司同意，不得以泄露、告知、公布、发布、出版、传授、转让或者其他任何方式使任何第三方知悉属于武汉某公司或者属于他人但武汉某公司承诺有保密义务的技术秘密或者其他商业秘密信息，也不得在履行职务之外使用这些秘密信息；离职后承担保密义务的期限为离职后二年。

2016年8月2日，武汉某公司、中某大在读研究生秦某及王某签订实习协议，约定实习期限为2016年8月1日至2017年8月1日，武汉某公司根据秦某的实际情况和工作需要，安排秦某到量子通讯部门从事合作研究工作。

武汉某公司自成立以来已经公开的专利申请有23件，其中，11件专利的申请日在涉案专利申请日之前，包括申请号为201710631297.5的发明专利，该专利文本公开了：一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法及刻蚀InP材料，发明人晏某平、秦某、王某、王某中，申请日为2017年7月28日，该发明涉及半导体材料干法刻蚀领域，具体涉及一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法，解决了反应离子刻蚀设备刻蚀InP过程中产生的聚合物副产物污染样品的问题。申请号为201610824183.8的发明专利，该专利文本公开了：一种量子点单光子源及其制备方法，申请日2016年9月14日，发明人王某、王某中、秦某、李某平，该发明涉及单光子源领域，提供一种量子点单光子源及其制备方法，能够快速准确定位量子点的位置，便于工业生产。

（二）王某、秦某在武汉某公司的工作情况

2016年10月27日，王某入选第九批“3551光谷人才计划”，获得武汉东湖新技术开发区管理委员会的“3551光谷人才计划”专项资金支持。

在武汉某公司2017年组织机构设置及职责分工中，研发二部主要职责为：负责盖革模式APD探测器、盖革模式阵列的研发、产品生产及项目管理工作。1.负责盖革模式APD项目的研发工作；2.负责盖革模式阵列的研发工作；3.负责该项目技术团队建设工作；4.负责该项目有关的对外协调；5.负责该项目综合管理；6.负责该项目产品生产及实物质量管理工作；7.完成领导安排的其他工作。

武汉某公司研发二部2017年度工作进展汇报、2017年第1期例会会议纪要及2017年第2期例会会议纪要均记录了研发二部工作内容：GM-APD工艺流程，涉及刻蚀工艺以及光照工艺，GM-APD反向工程分析。

2017年3月，武汉某公司开始启动GM-APD项目，并与华工某某光子技术有限公司（以下简称华工某某公司）签订技术服务合同，租用华工某某公司管芯部的部分产能，对10GAPD光探测器开展研发与小批量生产。王某在该项目费用表上签字。

2017年11月1日，秦某与武汉某公司签订实习生人才培养协议，武汉某公司提供助学补助金，后秦某因学业规划于2019年6月解除培养协议。秦某出具的《陈述书》记载其在武汉某公司工作期间主要从事的工作包括10GbpsAPD和GM-APD的研发工作，涉及锌扩散工艺、流片制程、外延片结构优化设计、理论仿真等工作，并参与武汉某公司“盖革模式雪崩二极管”“高灵敏度APD芯片与焦平面成像阵列”项目答辩。

2017年5月11日-8月20日期间，秦某以武汉某公司研发工程师的身份与埃某思材料科技（上海）有限公司（以下简称埃某思公司）的Yo*ch*Weng（翁某某）、Ye*Zhong（钟叶某）沟通CrosssectionSEM（SEM系扫描电子显微镜）和SIMS测试进度及测试调整的问题，并且邮件中提到测试用到的芯片为秦某邮寄给埃某思公司。2017年5月11日-9月1日期间，秦某与Yo*ch*Weng（翁某某）、Ye*Zhong（钟叶某）沟通电镜测试结果的相关问题。其中，邮件附件中“etch.rar”文件包含涉案专利说明书附图3。附件中“H0HWS364-2#etchresult.xlsx”和“2#beforeEtch.rar”文件包含涉案专利说明书附图2。

2017年8月29日，秦某发送邮件给王某，附件为GM工作计划，注明了张某健、秦某、许某负责的任务及完成进度情况。

2017年10月18日，孙某月发送邮件给许某：“附件是GM-APD工艺流程初稿，你看看流程和你设计的是否一致，如果哪里不一致，我再修改。”10月19日，许某回复：“除了第一次ZN扩散的刻蚀为湿法刻蚀外，暂没发现别的问题。”

2017年10月18日，孙某月发送邮件给王某：“王教授，您好，附件是GM-APD工艺流程初稿，请查阅。”附件内容为GM-APD的研发工序。

2017年10月31日，王某使用武汉某公司的邮箱发送邮件给刘某蓉、孙某月，邮件内容为：“SEM照片见附件。结果OK，以后用湿法刻蚀做SiN刻蚀，孙某月，请对你的工艺文件做相应的修改。”同日，王某发送邮件给孙某月，内容为“把MOCVD的条件也补充完整”。

2017年11月1日，许某发送邮件给张某健、孙某月、抄送王某，附件为OVQT掩膜版2.rar。

2017年11月15日，王某答复王艳艳的内容包含“APD-FPA外延结构质量报告、工艺流程报告、测试结果报告、流片质量管控标准、质量检测规范、工艺操作规范、外延结构设计图纸、芯片流程图纸、光刻模板图纸”。

2017年11月25日，王某给刘某蓉的回复内容为：“模板和外延片会在近期到货，请你们做好流片的准备。计划先在硅片上验证流程，你们要确定我们有足够的材料。”

2017年12月15日，刘某蓉发送邮件给王某：“王教授，附件是昨天进行的氮化硅湿法腐蚀实验镜检图整理，腐蚀均匀性很差，您看样品还需要看SEM么？”王某答复：“重复这次实验。另外将SiN换成SiO2试一下。下次Zn扩散zy是什么时候？”

2018年1月24日，秦某发送邮件给王某：“王老师，附件是根据二部今天上午讨论结果整理的下一次锌扩散实验安排，请查收。”王某回复：“SiN生长会不会又和以前一样做不了？”

2018年2月8日，秦某制作完成2017年工作进展汇报发送给王某，该工作进展汇报包括工艺流程图以及无封面页文件中的TCAD模拟、Matlab的仿真和外延片参数以及实验室工作汇报中的模拟。

2018年3月5日，王某制作完成2017年工作进展汇报（二）发送给秦某，秦某添加了锌扩散试验方案之后发给王某，该工作进展汇报包括微透镜重要参数的确定、实验背景、实验内容、镜检结果、刻蚀速率实验等。

2018年7月6日，秦某发送邮件给孙某月，附件为武汉某公司GM-APD测试参数。

2018年10月8日，王某由于个人原因提出离职，并与武汉某公司签订解除劳动关系协议书。2018年10月24日，武汉某公司同意王某离职并办理交接手续，离职审批单与离职交接单记载部门为研发二部、工作交接内容为GM-APD研发进展技术资料。

2016年1月-2018年10月，王某在武汉某公司处工作期间，武汉某公司为其缴纳社会保险，向其发放工资，王某在职期间因私请假需提交请假申请单，因公出差费用报销履行报销手续。

2016年6月-2018年6月期间，秦某在武汉某公司实习，武汉某公司为其发放劳务费，秦某在职期间因私请假需提交请假申请单，因公出差费用报销履行报销手续。

（三）涉案专利情况

涉案专利申请日为2019年4月18日，申请人中某大，发明人王某、秦某。涉案专利公开了一种P型掺杂与非掺杂芯片的刻蚀方法及装置，包括：S1，在P型掺杂与非掺杂芯片上设置研磨线；S2，将设有研磨线的平面垂直设于研磨液上方并使研磨线与研磨液表面平行，并将P型掺杂与非掺杂芯片研磨至研磨线处；S3，将步骤S2中所得研磨后的所述P型掺杂与非掺杂芯片放入刻蚀溶液中浸泡预设时间，同时加光照。S4，将步骤S3浸泡后的芯片放于扫描电子显微镜下观察，若浸泡后的芯片的截面轮廓满足要求则停止浸泡，若截面轮廓不满足要求则再次将芯片放于刻蚀溶液中刻蚀。涉案专利涉及光电探测器制备技术领域，所要解决的技术问题是提供了一种P型掺杂与非掺杂芯片的刻蚀方法及装置，针对不同扩散窗口的InP材料P型掺杂芯片，提供一种简单、便捷的刻蚀方案。涉案专利说明书附图2（研磨后的P型掺杂与非掺杂芯片的结构示意图）、附图3（刻蚀后的P型掺杂与非掺杂芯片的结构示意图）与秦某在武汉某公司工作期间发送给埃某思公司邮件附件中的文件一致。涉案专利已被国家知识产权局授予发明专利权，授权公告日为2021年12月14日。

（四）中某大购置科研设备及涉案专利研发过程中使用设备的情况

2011年至2018年间，中某大购买的主要科研设备有：电子束光刻机、等离子体增强化学气相沉积镀膜机、反应离子金属刻蚀系统及亚微米紫外曝光机、掩膜制版系统、高真空蒸发系统、小巧型匀胶机、正置金相显微镜、光学隔振平台、面光源型UV-LED光固化装置、Zaber电动XY显微位移台、紫外双面压印光刻机、曙光服务器、探针组；从2016年起购买了IEL数据库、sicessic数据库、sciencedirect数据库、PQDT学位论文全文数据库、PQDT-B数据库、EngineeringVillage数据库；2018年-2020年期间多次采购外延片。中某大微纳研究与制造中心的设备有湿法刻蚀系统、冷场扫描电镜（品牌型号Hitachi，SU8220）、扫描电镜镀膜仪SEMCoater等，以及对刻蚀结果进行表征的SEM设备。该中心费用结算单及机时材料结算单记载有秦某2017年11月10日使用SEM-Hitachi8220设备、SEM-Coater-Leica设备及机时、费用的相关记录，上述记录中王某为导师。

一审法院认为：

第一，关于发明人王某的身份。王某与武汉某公司、中某大均有劳动关系。根据中某大网页上王某的简历，王某的工作领域为半导体光刻技术和设备，涉案专利涉及APD领域，涵盖芯片设计、制备工艺和测试。中某大提交的王某授课清单并不足以证明王某在中某大处的本职工作是APD芯片研发，本案也没有证据证明王某进入武汉某公司前在中某大处的本职工作内容与涉案专利相关。

第二，结合王某的工作岗位、职责范围、具体工作内容等来看，王某自2016年1月25日至2018年10月24日就职于武汉某公司，作为器件生产部和研发二部的管理人员，其工作职责范围包括APD相关技术研发和管理工作。一方面，王某任职期间直接从事APD的研发工作，具体体现在：1.武汉某公司作为专利权人的“一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法及刻蚀InP材料”以及“一种量子点单光子源及其制备方法”的发明专利，发明人均包括王某。2.公司内部邮件往来证明王某自2016年开始参与武汉某公司APD项目的研发，并于2017年4月作为武汉某公司的研发二部部长负责GM-APD项目，直接管理研发二部人员、财物和研发进度。3.王某作为武汉某公司员工，负责履行武汉某公司与外方的合同，参加行业会议，并参与公司相关项目。另一方面，王某先后作为武汉某公司器件生产部和研发二部的部长领导、参与APD项目研发工作，具体体现在：1.武汉某公司在王某任职期间启动GM-APD项目的研发工作，2017年组织机构设置及分工中研发二部主要职责为负责GM-APD及阵列的研发、产品生产及项目管理工作。该项目自2017年开始预研，在研发二部例会会议纪要和研发二部年度工作汇报中记载有GM-APD的研发进度。2.2017年11月15日王某答复王艳艳的内容包含APD-FPA外延结构质量报告、工艺流程报告、测试结果报告、流片质量管控标准、质量检测规范、工艺操作规范、外延结构设计图纸、芯片流程图纸、光刻模板图纸。3.研发二部技术人员通过邮件方式向王某发送周报；2017年，王某在华工某某公司与武汉某公司关于10GAPD光探测器研制与小规模量产项目费用表上签字。同时，武汉某公司提供的人才计划申报、专家聘任协议书、组织机构设置及分工、会议纪要等也能够反映武汉某公司为王某进行APD研发工作制定了具体的工作计划。

第三，涉案专利是王某从武汉某公司离职后一年内作出的，与王某任职武汉某公司期间承担的本职工作具有关联性。主要体现在：一方面，涉案专利技术涉及光电探测器制备技术领域，该光电探测器包括雪崩光电二极管。涉案专利提供了一种P型掺杂与非掺杂芯片的刻蚀方法及装置，发明点为通过研磨、刻蚀溶液的刻蚀以及光照对InP材料P型掺杂芯片进行刻蚀。根据武汉某公司提供的王某、秦某在武汉某公司任职期间的研发成果记录文件，将涉案专利与该记录文件相比，二者解决的技术问题、发明目的、技术效果基本一致。另一方面，在王某、秦某与武汉某公司工作人员的往来邮件中，讨论的内容是与涉案专利技术方案相关的内容。因此，可以认定涉案专利与王某任职武汉某公司期间承担的本职工作具有关联性。

第四，王某在任职武汉某公司期间与中某大仍存在劳动关系，其身份具有双重性，且王某与中某大对涉及职务发明创造的权利约定归属于中某大。涉案专利虽不必然与王某在中某大的工作任务直接相关，但是中某大在本案中所举相关证据能够证明中某大购买的科研设备用于涉案专利所必需的实验和模拟仿真，中某大微纳研究与制造中心机时费用记录也证明发明人使用了主要设备及核心软件，能够说明王某在研究开发过程中，依赖中某大的设备、零部件等物质技术条件，再结合王某自身科研职责及秦某作为中某大学生的学业要求的情况，应当确认涉案专利主要利用了中某大的物质技术条件。

综合上述分析，涉案专利是王某执行武汉某公司的工作任务，同时又主要利用了中某大的物质技术条件完成的发明创造，武汉某公司与中某大对该发明创造的完成都作出创造性贡献。鉴于涉案专利在本案审理过程中已获得授权，故一审法院依法确认涉案专利权属于武汉某公司和中某大共有。关于武汉某公司主张的为制止侵权行为所支付的合理开支，由于本案系专利权权属纠纷而非侵权纠纷，故该部分请求没有法律依据，一审法院不予支持。

一审法院依照2008年修正的《中华人民共和国专利法》（以下简称专利法）第六条第一款、2010年修订的《中华人民共和国专利法实施细则》（以下简称专利法实施细则）第十二条、2021年修正的《中华人民共和国民事诉讼法》第六十七条第一款之规定，判决：“一、确认名称为‘一种P型掺杂与非掺杂芯片的刻蚀方法及装置’、专利号为201910316864.7的发明专利权归原告武汉某技术有限公司和被告中国某技术大学共有；二、驳回原告武汉某技术有限公司的其他诉讼请求。案件受理费215元，由原告武汉某技术有限公司负担107.5元，被告中国某技术大学负担107.5元。”

中某大不服一审判决，向本院提起上诉，请求：1.撤销一审判决第一项，改判驳回武汉某公司一审全部诉讼请求；2.一、二审案件受理费由武汉某公司负担。事实与理由：（一）一审判决未能真正理解立法精神，对工作任务、物质条件、技术条件及前述要素对于发明创造的实质性贡献等法律适用问题生搬硬套，没有厘清王某本职科研、教学工作与武汉某公司兼职行为的区别。1.王某自2013年起至今一直在中某大从事科研和教学工作，其指导张某健、秦某等博士研究生毕业的职责中当然包括专业领域内论文发表、专利申请等各项职责。一审判决简单地以形式上发明人的身份归属或以工作期间完成发明而决定涉案专利权归属，不符合专利法规定的精神实质。2.一审判决没有厘清王某在武汉某公司任职期间从事APD的研发工作中的具体作用与其在涉案专利中的具体作用之间的区别。一审判决认定中某大不足以证明王某在中某大的本职工作是APD芯片研发、没有证据证明王某进入武汉某公司前在中某大的本职工作内容与涉案专利相关完全错误。（二）一审判决既已认定主要利用了中某大的物质设备条件，却根据专利法实施细则第十二条认定中某大与武汉某公司共有涉案专利权，实属对法律规定的误解，背离了法律精神，应予撤销并改判。

武汉某公司辩称：王某在武汉某公司的本职工作包括APD的研发、样品制作和量产。王某的主要工作地点在武汉某公司，受武汉某公司的管理。武汉某公司具有涉案专利相关领域的研发能力，也实质性开展了研发活动。涉案专利与王某的本职工作和武汉某公司已经取得的研发成果均直接相关。一审判决认定事实清楚，适用法律正确，请求驳回上诉，维持原判。

王某、秦某均未作陈述。

二审期间，当事人均未提交新的证据。

一审法院查明的事实基本属实，本院予以确认。

本院另查明：

根据武汉某公司提交的王某简历记载，其熟悉纳米工艺开发和大规模生产，有在国际大公司的研发和生产部门8年以上的工作经验。精通光刻（lithography）、镀膜（PVD，CVD）、等离子刻蚀（RIE）等纳米工艺，并亲自参与了芯片整体流程开发、质量控制/检测以及对芯片整体架构的设计。其具有丰富的公司管理和将研究成果产业化的经验，提出的多项技术已经取得国际专利授权，并已经被多家顶级科技公司采用。

根据武汉某公司《2017年组织机构设置及职责分工》记载，武汉某公司2017年人员编制共34人，其中公司高管1人，专家5人（兼公司高管3人），管理人员6人，技术人员22人，设六个部门：综合管理部、财务管理部、研发一部、研发二部、研发三部、工艺技术部。根据《专家离职审批单》的记载，王某离职时所在部门为研发二部，职务为部长。

2017年3月，武汉某公司（甲方）与中某大（乙方）就高性能光电探测器微纳工艺的合作研发项目签订《技术开发（合作）合同书》（以下简称涉案合同）。其中第一条约定：乙方需协助甲方在研发高性能光电探测器器件领域展开合作，优化InP高侧壁角刻蚀工艺，解决雪崩二极管高频率响应时光场吸收效率较低的特性，研发InP基微透镜阵列，提升光场利用效率，进而提高探测器的灵敏度，优化微透镜阵列的曲率半径与高度，实现在近红外波段（1550nm附近），在指定焦距处的聚光特性，焦距误差不得超过1µm。第二条约定：1.乙方在甲方提供样品的情况下，协助甲方完成工艺参数的表征，并研发实验室改进方案。2.乙方还需要帮助甲方开发InP衬底ICP刻蚀实验室制作的工艺参数，需要向甲方提供切实可行的实验室制作刻蚀配方，并反馈刻蚀结果的电镜图。刻蚀深度需达到4µm，侧壁大于85度。此外，乙方还需要提供InGaAs材料实验室制作的ICP刻蚀配方，要求刻蚀深度达到1µm，侧壁大于85度。3.乙方需利用双面曝光机开展背面透镜的实验室制作工艺研发。验收时需提供直径120µm的透镜加工工艺参数（包括光刻工艺参数与刻蚀配方）。第三条约定：2017年2月-2017年8月，完成InP衬底与InGaAs的ICP实验室制作刻蚀工艺，为甲方开发10GAPD生产工艺提供实验室研究支撑。2017年9月-2018年7月，开展光刻胶热熔法制备曲面结构，研究光刻胶的粘度系数在升温过程中的变化情况，优化InP与光刻胶体系的接触变化。使用双面曝光机完成背部透镜实验制作。2018年8月-2019年2月，探索ICP刻蚀InP过程中的物理化学机制，优化光刻胶与InP1：1的刻蚀速率比，完成高质量的凸形转移。2019年8月-2020年2月，甲方为探测器阵列的开发提供实验室研究支撑，并开展相关技术储备研究。第四条约定：本项目开发经费全部由甲方承担，需要为乙方的研发工作提供研究经费100万元。第五条约定：用于乙方进行技术设计和实验而购置的设备、器材和资料归乙方所有。第九条约定：甲乙双方共同享有本合同技术成果产生的专利申请权、使用权、署名权、荣誉权和申请奖励权，专利转让需经另一方同意。乙方记载的项目联系人为王某。

本院二审期间，王某仍在中某大任职。

以上事实有王某简历、武汉某公司《2017年组织机构设置及职责分工》、涉案合同、当事人陈述等在案佐证。

本院认为，本案系具有涉外因素的专利权权属纠纷，根据《中华人民共和国涉外民事关系法律适用法》第四十八条的规定，本案应当适用被请求保护地即中华人民共和国的法律。涉案专利申请行为发生于2008年修正的专利法施行日（2009年10月1日）之后、2020年修正的专利法施行日（2021年6月1日）之前，故本案应适用2008年修正的专利法及2010年修订的专利法实施细则的相关规定。本案二审的争议焦点为：涉案专利权的归属应如何确定。

专利法第六条第一款规定：“执行本单位的任务或者主要是利用本单位的物质技术条件所完成的发明创造为职务发明创造。职务发明创造申请专利的权利属于该单位；申请被批准后，该单位为专利权人。”第八条规定：“两个以上单位或者个人合作完成的发明创造、一个单位或者个人接受其他单位或者个人委托所完成的发明创造，除另有协议的以外，申请专利的权利属于完成或者共同完成的单位或者个人；申请被批准后，申请的单位或者个人为专利权人。”专利法实施细则第十二条第一款规定：“专利法专利法第六条六条所称执行本单位的任务所完成的职务发明创造，是指：（一）在本职工作中作出的发明创造；（二）履行本单位交付的本职工作之外的任务所作出的发明创造；（三）退休、调离原单位后或者劳动、人事关系终止后1年内作出的，与其在原单位承担的本职工作或者原单位分配的任务有关的发明创造。”

上述规定为个人与其所在单位就职务发明创造的归属确立了基本依据。本案的特殊性在于，王某与中某大、武汉某公司均签订了劳动合同，王某在中某大的本职工作也包括科研工作。结合王某的专业背景以及工作经历，涉案专利除了一审判决所认定的主要利用中某大的物质技术条件完成以外，亦属于王某在中某大的本职工作内容，但涉案专利同时也是王某等人离开武汉某公司1年内完成的发明创造。因此，本案存在王某与中某大及武汉某公司先后签订劳动合同，而因劳动合同期间部分重叠导致职务发明的专利权归属可能产生冲突的问题。通常而言，就此情形职务发明创造所涉专利权的归属，应当尊重两工作单位之间有关专利权归属的约定；没有约定的，应当综合考虑员工与不同单位劳动关系形成的先后、不同单位的贡献大小、是否存在过错等因素确定专利权的归属。结合本案具体情况，涉案专利权应当归属于中某大所有。具体理由如下：

第一，涉案专利并不属于涉案合同约定的范围。本案中，中某大和武汉某公司虽然签订了涉案合同，但依照涉案合同约定，涉及的研发内容主要包括两个方面：一是关于高侧壁角刻蚀工艺的研发及实验室改进，即优化InP高侧壁角刻蚀工艺，解决雪崩二极管高频率响应时光场吸收效率较低的特性；二是关于微透镜阵列的研发，即优化微透镜阵列的曲率半径与高度，实现在近红外波段（1550nm附近），在指定焦距处的聚光特性，焦距误差不得超过1µm。而涉案专利解决的技术问题是提供一种P型掺杂与非掺杂芯片的刻蚀方法及装置，针对不同扩散窗口的InP材料P型掺杂芯片，提供一种简单、便捷的刻蚀方案。因此，涉案专利并不属于上述合同约定的研发内容，不应按照涉案合同的约定确定涉案专利权的归属。

第二，从劳动关系的形成先后看，职务发明专利权原则上应归在先劳动关系中的单位所有。鉴于职务发明专利权系基于专利法规定而原始取得，职务发明创造一旦完成，申请专利的权利即归在先劳动关系中的单位所有。在前后两个劳动关系同期并存、且没有其他约定的情况下，在后劳动关系中的单位无法基于其与员工在后签订的劳动合同改变职务发明专利权的原始归属状态。本案中，中某大与王某签订劳动合同在先，涉案专利属于王某在中某大工作期间的职务发明，专利权原始即归中某大所有。在武汉某公司与中某大并无其他约定的情况下，武汉某公司无权基于在后形成的劳动合同关系改变涉案专利权的原始归属状态。

第三，从双方的贡献大小看，中某大对于涉案专利相关技术方案的完成作出的贡献相比武汉某公司更大。虽然涉案专利技术方案与王某、秦某在武汉某公司工作期间的本职工作具有相关性，但涉案专利系王某、秦某离开武汉某公司后申请，发明人王某系中某大聘任的教授，秦某系中某大的学生，基于二人自身的科研职责或学业要求，涉案专利与其工作及研究内容具有相关性。而且，在案证据证明，在涉案专利的研究开发过程中，中某大为涉案专利的研发提供了主要的实验设备、数据库等软硬件技术条件。两相比较，中某大对于涉案专利相关技术方案的完成具有更大的贡献。

第四，从双方的过错程度及行为性质看，武汉某公司在与王某签订劳动合同过程中未尽到审慎注意义务，存在明显过错。中某大与王某签订劳动合同在先，且中某大与王某的劳动合同明确约定“因履行职务或者主要是利用中某大的物质技术条件、科研信息等产生的发明创造、技术秘密等有关的知识产权均属于中某大享有”。武汉某公司明知王某系中某大聘任教授，与中某大存在劳动合同，其应当知道王某完成的发明创造系归属于中某大的职务发明，且并无证据证明武汉某公司就与王某签订劳动合同事宜与中某大进行沟通，更未就知识产权归属可能产生的冲突与中某大进行协商，主观上存在明显过错。武汉某公司作为过错方，仅仅基于在后劳动合同不足以获得涉案专利权。

综上所述，中某大的上诉请求成立，应予支持。一审判决认定事实基本清楚，但适用法律有误，应予纠正。依照《中华人民共和国涉外民事关系法律适用法》第四十八条，2008年修正的《中华人民共和国专利法》第六条第一款、第八条，2010年修订的《中华人民共和国专利法实施细则》第十二条第一款和《中华人民共和国民事诉讼法》第一百七十七条第一款第二项之规定，判决如下：
一、撤销安徽省合肥市中级人民法院（2020）皖01民初2299号民事判决；
二、驳回武汉某技术有限公司的诉讼请求。

一审案件受理费人民币215元，由武汉某技术有限公司负担。二审案件受理费人民币1000元，由武汉某技术有限公司负担，中国某技术大学已预交人民币1000元，应退人民币1000元，武汉某技术有限公司应补交人民币1000元。

本判决为终审判决。

审 判 长　　朱　燕
审 判 员　　凌宗亮
审 判 员　　马清华
二〇二五年十二月二十五日
法官助理　　王力上
法官助理　　郝小娟
书 记 员　　郭成娟